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Technische Details

  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilestatus:Active
  • Transistortyp:NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (ic) (max):100 mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50 V
  • Widerstand - Basis (r1):22 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (r2):-

 

  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 1mA, 5V
  • vce-Sättigung (max) @ ib, ic:150mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):1µA
  • Frequenz - Übergang:-
  • Leistung max:250 mW
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:SC-101, SOT-883
  • Gerätepaket des Lieferanten:DFN1006-3

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