Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Transistortyp:NPN - Pre-Biased
• Strom - Kollektor (ic) (max):100 mA
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50 V
• Widerstand - Basis (r1):2.2 kOhms
• Widerstand - Emitterbasis (r2):10 kOhms

• Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:35 @ 5mA, 5V
• vce-Sättigung (max) @ ib, ic:150mV @ 500µA, 10mA
• Strom - Kollektorabschaltung (max):1µA
• Frequenz - Übergang:230 MHz
• Leistung max:250 mW
• Befestigungsart:Surface Mount
• Paket / Koffer:3-XFDFN
• Gerätepaket des Lieferanten:DFN1006B-3