Technische Details

• Serie:-
• Paket:Tray
• Teilestatus:Active
• Diodentyp:Silicon Carbide Schottky
• Spannung - Gleichstrom rückwärts (vr) (max):1200 V
• Strom - durchschnittlich gleichgerichtet (io):61A (DC)
• Spannung - Vorwärts (vf) (max) @ if:1.75 V @ 40 A
• Geschwindigkeit:No Recovery Time > 500mA (Io)

• Reverse Recovery-Zeit (trr):0 ns
• Strom - Rückwärtsleckage @ vr:200 µA @ 1200 V
• Kapazität @ vr, f:2250pf @ 1V, 100kHz
• Befestigungsart:Surface Mount
• Paket / Koffer:Die
• Gerätepaket des Lieferanten:Die
• Betriebstemperatur - Anschluss:-55°C ~ 175°C