Technische Details

• Serie:TrenchMOS™
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:350mA (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:2.8Ohm @ 200mA, 10V
• vgs (th) (max) @ id:2.1V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:1 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:23.6 pF @ 10 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):350mW (Ta), 3.1W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:DFN1006B-3
• Paket / Koffer:3-XFDFN