Technische Details

• Serie:TrenchMOS™
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:P-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:300mA (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
• rds on (max) @ id, vgs:4.1Ohm @ 200mA, 4.5V
• vgs (th) (max) @ id:1.1V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:720 pC @ 4.5 V
• vgs (max):±8V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:46 pF @ 15 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):360mW (Ta), 2.7W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:DFN1006B-3
• Paket / Koffer:SC-101, SOT-883