- ArtikelnummerNVTFS4C05NTAG
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$0.33
- 1.500$0.14052
- 3.000$0.12734
- 7.500$0.11856
- 10.500$0.11417
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:22A (Ta), 102A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:3.6mOhm @ 30A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:2.2V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:31 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1.988 pF @ 15 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):3.2W (Ta), 68W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:8-WDFN (3.3x3.3)
- Paket / Koffer:8-PowerWDFN
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