- ArtikelnummerNVMFD5485NLT1G
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
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Preisgestaltung:
- 1$0.84
- 1.500$0.84
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:2 N-Channel (Dual)
- Fet-Funktion:Logic Level Gate
- Drain-Source-Spannung (vdss):60V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:5.3A
- rds on (max) @ id, vgs:44mOhm @ 15A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:20nC @ 10V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:560pF @ 25V
- Leistung max:2.9W
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:8-PowerTDFN
- Gerätepaket des Lieferanten:8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
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