Technische Details

• Serie:Automotive, AEC-Q101
• Paket:Tube
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1200 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:29A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):20V
• rds on (max) @ id, vgs:110mOhm @ 20A, 20V
• vgs (th) (max) @ id:4.3V @ 5mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:56 nC @ 20 V
• vgs (max):+25V, -15V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1670 pF @ 800 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):170mW (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-4
• Paket / Koffer:TO-247-4