- ArtikelnummerNVD6415ANLT4G
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- Beschreibung23A, 100V, 0.056OHM, N-CHANNEL,
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 7.279
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Preisgestaltung:
- 1$0.49
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:23A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:52mOhm @ 10A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:2V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:20 nC @ 4.5 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1.024 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):83W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:DPAK
- Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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