- ArtikelnummerNVD5862NT4G
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- Beschreibung18A, 60V, 0.0057OHM, N-CHANNEL,
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 3.004
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Preisgestaltung:
- 1$0.72
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:18A (Ta), 98A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:5.7mOhm @ 48A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:82 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:6 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):4.1W (Ta), 115W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:DPAK
- Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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