Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):25 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:18.5A (Ta), 66A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:4.8mOhm @ 30A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:2.1V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:12.4 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:771 pF @ 12 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):2.64W (Ta), 33.8W (Tc)
• Betriebstemperatur:150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:8-WDFN (3.3x3.3)
• Paket / Koffer:8-PowerWDFN