Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):12 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:384mA (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):1.5V, 4.5V
• rds on (max) @ id, vgs:480mOhm @ 100mA, 4.5V
• vgs (th) (max) @ id:1V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:0.6 nC @ 4.5 V
• vgs (max):±8V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:35 pF @ 9.6 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):120mW (Ta)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:3-XLLGA (0.62x0.62)
• Paket / Koffer:3-XFDFN