Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:P-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):20 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:3.95A (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
• rds on (max) @ id, vgs:33mOhm @ 5.4A, 4.5V
• vgs (th) (max) @ id:1.25V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 4.5 V
• vgs (max):-
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1.9 pF @ 16 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):-
• Betriebstemperatur:-
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:8-SOIC
• Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)