- ArtikelnummerNTMFD4C85NT1G
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
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Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$2.14
- 1.500$2.14
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Obsolete
- Fußtyp:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Fet-Funktion:Standard
- Drain-Source-Spannung (vdss):30V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:15.4A, 29.7A
- rds on (max) @ id, vgs:3mOhm @ 20A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:2.1V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:32nC @ 10V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1960pF @ 15V
- Leistung max:1.13W
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:8-PowerTDFN
- Gerätepaket des Lieferanten:8-DFN (5x6)
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