Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:1.2A (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):2.5V, 4.5V
• rds on (max) @ id, vgs:200mOhm @ 1.5A, 4.5V
• vgs (th) (max) @ id:1.5V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:3 nC @ 4.5 V
• vgs (max):±8V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:95 pF @ 15 V
• Fet-Funktion:Schottky Diode (Isolated)
• Verlustleistung (max):500mW (Ta)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:6-UDFN (1.6x1.6)
• Paket / Koffer:6-UFDFN Exposed Pad