Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:P-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):20 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:2.3A (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):1.8V, 4.5V
• rds on (max) @ id, vgs:100mOhm @ 2A, 4.5V
• vgs (th) (max) @ id:1V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:6.2 nC @ 4.5 V
• vgs (max):±8V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:531 pF @ 10 V
• Fet-Funktion:Schottky Diode (Isolated)
• Verlustleistung (max):710mW (Ta)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:6-WDFN (2x2)
• Paket / Koffer:6-WDFN Exposed Pad