Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bag
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:200mA (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:5Ohm @ 500mA, 10V
• vgs (th) (max) @ id:3V @ 1mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:50 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):350mW (Ta)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-92
• Paket / Koffer:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)