Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bag
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:P-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):25 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:10A
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:600Ohm @ 0A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:5V @ 10A

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
• vgs (max):±30V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:5 pF @ 10 V
• Fet-Funktion:Standard
• Verlustleistung (max):800mW (Tc)
• Betriebstemperatur:175°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-72
• Paket / Koffer:TO-72-3