Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bag
• Teilestatus:Active
• Transistortyp:NPN - Pre-Biased
• Strom - Kollektor (ic) (max):100 mA
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50 V
• Widerstand - Basis (r1):10 kOhms
• Widerstand - Emitterbasis (r2):10 kOhms

• Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:50 @ 10mA, 5V
• vce-Sättigung (max) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA
• Strom - Kollektorabschaltung (max):500nA
• Frequenz - Übergang:250 MHz
• Leistung max:200 mW
• Befestigungsart:Surface Mount
• Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Gerätepaket des Lieferanten:SOT-23