Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bag
• Teilestatus:Active
• Transistortyp:NPN
• Strom - Kollektor (ic) (max):100 mA
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):300 V
• vce-Sättigung (max) @ ib, ic:1V @ 2mA, 20mA
• Strom - Kollektorabschaltung (max):100nA (ICBO)

• Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:40 @ 10mA, 10V
• Leistung max:850 mW
• Frequenz - Übergang:200MHz
• Betriebstemperatur:150°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Paket / Koffer:TO-237AA
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-237