- ArtikelnummerNTD5802NT4G
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 762
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$0.7
- 2.500$0.2957
- 5.000$0.28173
- 12.500$0.27175
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):40 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:16.4A (Ta), 101A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):5V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:4.4mOhm @ 50A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:100 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:5.025 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:DPAK
- Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Verwandte Produkte
In den Warenkorb gelegt!
Dieser Artikel wurde Ihrem Warenkorb hinzugefügt.