Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Transistortyp:PNP
• Strom - Kollektor (ic) (max):2 A
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):35 V
• vce-Sättigung (max) @ ib, ic:300mV @ 20mA, 2A
• Strom - Kollektorabschaltung (max):100nA

• Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 1.5A, 2V
• Leistung max:635 mW
• Frequenz - Übergang:100MHz
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Paket / Koffer:8-SMD, Flat Lead
• Gerätepaket des Lieferanten:ChipFET™