Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Transistortyp:NPN
• Strom - Kollektor (ic) (max):5 A
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):20 V
• vce-Sättigung (max) @ ib, ic:125mV @ 400mA, 4A
• Strom - Kollektorabschaltung (max):100nA (ICBO)

• Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 2A, 2V
• Leistung max:875 mW
• Frequenz - Übergang:150MHz
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Paket / Koffer:3-WDFN Exposed Pad
• Gerätepaket des Lieferanten:3-WDFN (2x2)