Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Transistortyp:NPN
• Strom - Kollektor (ic) (max):6 A
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):12 V
• vce-Sättigung (max) @ ib, ic:120mV @ 400mA, 4A
• Strom - Kollektorabschaltung (max):100nA (ICBO)

• Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 1A, 2V
• Leistung max:830 mW
• Frequenz - Übergang:140MHz
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Paket / Koffer:8-SMD, Flat Lead
• Gerätepaket des Lieferanten:ChipFET™