- ArtikelnummerNGTD13T65F2WP
- MarkeSanyo Semiconductor/ON Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungIGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
- KategorieTransistoren - igbts - einfach
Auf Lager: 6.469
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Preisgestaltung:
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Technische Details
- Serie:-
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- igbt-Typ:Trench Field Stop
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
- Strom - Kollektor (ic) (max):-
- Strom - Kollektor gepulst (icm):120 A
- vce(on) (max) @ vge, ic:2.2V @ 15V, 30A
- Leistung max:-
- Schaltenergie:-
- Eingabetyp:Standard
- Torgebühr:-
- td (ein/aus) @ 25°c:-
- Testbedingung:-
- Reverse Recovery-Zeit (trr):-
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:Die
- Gerätepaket des Lieferanten:Die
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