- ArtikelnummerNGTB10N60R2DT4G
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- KategorieTransistoren - igbts - einfach
Auf Lager: 2.630
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$0.58
- 2.500$0.58
- 5.000$0.55238
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- igbt-Typ:-
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600 V
- Strom - Kollektor (ic) (max):20 A
- Strom - Kollektor gepulst (icm):40 A
- vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 10A
- Leistung max:72 W
- Schaltenergie:412µJ (on), 140µJ (off)
- Eingabetyp:Standard
- Torgebühr:53 nC
- td (ein/aus) @ 25°c:48ns/120ns
- Testbedingung:300V, 10A, 30Ohm, 15V
- Reverse Recovery-Zeit (trr):90 ns
- Betriebstemperatur:175°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Gerätepaket des Lieferanten:DPAK
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