- ArtikelnummerNGTB03N60R2DT4G
- MarkeSanyo Semiconductor/ON Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungIGBT 9A 600V DPAK
- KategorieTransistoren - igbts - einfach
Auf Lager: 2.640
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$0.87
- 2.500$0.35216
- 5.000$0.32787
- 12.500$0.32382
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- igbt-Typ:-
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600 V
- Strom - Kollektor (ic) (max):9 A
- Strom - Kollektor gepulst (icm):12 A
- vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 3A
- Leistung max:49 W
- Schaltenergie:50µJ (on), 27µJ (off)
- Eingabetyp:Standard
- Torgebühr:17 nC
- td (ein/aus) @ 25°c:27ns/59ns
- Testbedingung:300V, 3A, 30Ohm, 15V
- Reverse Recovery-Zeit (trr):65 ns
- Betriebstemperatur:175°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Gerätepaket des Lieferanten:DPAK
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