Technische Details

• Serie:-
• Paket:Strip
• Teilestatus:Obsolete
• Transistortyp:NPN
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):12V
• Frequenz - Übergang:7GHz
• Rauschzahl (db typ @ f):1.1dB @ 1GHz
• dazugewinnen:11.5dB

• Leistung max:200mW
• Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:50 @ 20mA, 10V
• Strom - Kollektor (ic) (max):100mA
• Betriebstemperatur:150°C (TJ)
• Befestigungsart:-
• Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Gerätepaket des Lieferanten:-