- ArtikelnummerMSCSM120TAM11CTPAG
- MarkeRoving Networks / Microchip Technology
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungPM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6P
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager: 3
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$1035.31
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- Fet-Funktion:Silicon Carbide (SiC)
- Drain-Source-Spannung (vdss):1200V (1.2kV)
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:251A (Tc)
- rds on (max) @ id, vgs:10.4mOhm @ 120A, 20V
- vgs (th) (max) @ id:2.8V @ 3mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:696nC @ 20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:9060pF @ 1000V
- Leistung max:1.042kW (Tc)
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Chassis Mount
- Paket / Koffer:Module
- Gerätepaket des Lieferanten:SP6-P
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