- ArtikelnummerMSCSM120AM027CD3AG
- MarkeRoving Networks / Microchip Technology
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungPM-MOSFET-SIC-SBD~-D3
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager: 3
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$1264.43
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Box
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:2 N Channel (Phase Leg)
- Fet-Funktion:Silicon Carbide (SiC)
- Drain-Source-Spannung (vdss):1200V (1.2kV)
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:733A (Tc)
- rds on (max) @ id, vgs:3.5mOhm @ 360A, 20V
- vgs (th) (max) @ id:2.8V @ 9mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:2088nC @ 20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:27000pF @1000V
- Leistung max:2.97kW (Tc)
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Chassis Mount
- Paket / Koffer:Module
- Gerätepaket des Lieferanten:D3
Verwandte Produkte
In den Warenkorb gelegt!
Dieser Artikel wurde Ihrem Warenkorb hinzugefügt.