Technische Details

• Serie:BIMOSFET™
• Paket:Tube
• Teilestatus:Active
• igbt-Typ:-
• Aufbau:Full Bridge
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):3000 V
• Strom - Kollektor (ic) (max):34 A
• Leistung max:150 W
• vce(on) (max) @ vge, ic:3.2V @ 15V, 20A

• Strom - Kollektorabschaltung (max):-
• Eingangskapazität (Cies) @ vce:-
• Eingang:Standard
• ntc-Thermistor:No
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Paket / Koffer:24-SMD Module, 9 Leads
• Gerätepaket des Lieferanten:24-SMPD