Technische Details

• Serie:GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
• Paket:Tube
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):200 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:168A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:8.3mOhm @ 60A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:5V @ 8mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:378 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:28000 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):600W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:24-SMPD
• Paket / Koffer:24-PowerSMD, 21 Leads