Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Obsolete
• igbt-Typ:-
• Aufbau:Half Bridge
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
• Strom - Kollektor (ic) (max):160 A
• Leistung max:1000 W
• vce(on) (max) @ vge, ic:1.8V @ 15V, 100A (Typ)

• Strom - Kollektorabschaltung (max):1 mA
• Eingangskapazität (Cies) @ vce:8.58 nF @ 25 V
• Eingang:Standard
• ntc-Thermistor:No
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Chassis Mount
• Paket / Koffer:Module
• Gerätepaket des Lieferanten:D3