Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:P-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):20 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:1.5A (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):1.8V, 4.5V
• rds on (max) @ id, vgs:241mOhm @ 750mA, 4.5V
• vgs (th) (max) @ id:1.4V @ 1mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:1.7 nC @ 4.5 V
• vgs (max):±10V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:120 pF @ 10 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):800mW (Ta)
• Betriebstemperatur:150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:3-MCPH
• Paket / Koffer:3-SMD, Flat Lead