Technische Details

• Serie:GigaMOS™
• Paket:Tube
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:67A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:25mOhm @ 33.5A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:4V @ 4mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:260 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:4500 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):300W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-204AE
• Paket / Koffer:TO-204AE