Technische Details

• Serie:GigaMOS™, TrenchT2™
• Paket:Tube
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):75 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:520A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:2.2mOhm @ 100A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:5V @ 8mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:545 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:41000 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):1250W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:PLUS247™-3
• Paket / Koffer:TO-247-3