Technische Details

• Serie:HiPerFET™, TrenchT2™
• Paket:Tube
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):200 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:150A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:15mOhm @ 75A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:5V @ 4mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:177 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:11700 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):890W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-268
• Paket / Koffer:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA