Technische Details

• Serie:GigaMOS™
• Paket:Tube
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):250 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:140A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:17mOhm @ 60A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:5V @ 4mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:255 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:19000 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):960W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-264AA (IXFK)
• Paket / Koffer:TO-264-3, TO-264AA