Technische Details

• Serie:BIMOSFET™
• Paket:Tube
• Teilestatus:Active
• igbt-Typ:-
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1700 V
• Strom - Kollektor (ic) (max):42 A
• Strom - Kollektor gepulst (icm):265 A
• vce(on) (max) @ vge, ic:6V @ 15V, 21A
• Leistung max:357 W
• Schaltenergie:3.43mJ (on), 430µJ (off)

• Eingabetyp:Standard
• Torgebühr:188 nC
• td (ein/aus) @ 25°c:19ns/200ns
• Testbedingung:850V, 21A, 1Ohm, 15V
• Reverse Recovery-Zeit (trr):330 ns
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Paket / Koffer:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-268