Technische Details

• Serie:BIMOSFET™
• Paket:Tube
• Teilestatus:Active
• igbt-Typ:-
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):3000 V
• Strom - Kollektor (ic) (max):80 A
• Strom - Kollektor gepulst (icm):280 A
• vce(on) (max) @ vge, ic:3.2V @ 15V, 32A
• Leistung max:400 W
• Schaltenergie:-

• Eingabetyp:Standard
• Torgebühr:142 nC
• td (ein/aus) @ 25°c:50ns/160ns
• Testbedingung:1250V, 32A, 2Ohm, 15V
• Reverse Recovery-Zeit (trr):1500 ns
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Paket / Koffer:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-268HV