Technische Details

• Serie:BIMOSFET™
• Paket:Tube
• Teilestatus:Active
• igbt-Typ:-
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1700 V
• Strom - Kollektor (ic) (max):16 A
• Strom - Kollektor gepulst (icm):40 A
• vce(on) (max) @ vge, ic:6V @ 15V, 10A
• Leistung max:150 W
• Schaltenergie:2.5mJ (off)

• Eingabetyp:Standard
• Torgebühr:65 nC
• td (ein/aus) @ 25°c:15ns/250ns
• Testbedingung:1360V, 10A, 10Ohm, 15V
• Reverse Recovery-Zeit (trr):25 ns
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Paket / Koffer:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-268HV