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Technische Details

  • Serie:BIMOSFET™
  • Paket:Tube
  • Teilestatus:Active
  • igbt-Typ:-
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):3000 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):50 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):430 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:6V @ 15V, 20A
  • Leistung max:417 W
  • Schaltenergie:23mJ (on), 2.6mJ (off)

 

  • Eingabetyp:Standard
  • Torgebühr:425 nC
  • td (ein/aus) @ 25°c:33ns/370ns
  • Testbedingung:1500V, 20A, 3Ohm, 15V
  • Reverse Recovery-Zeit (trr):864 ns
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:ISOPLUSi5-Pak™
  • Gerätepaket des Lieferanten:ISOPLUSi5-Pak™

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