Technische Details

• Serie:BIMOSFET™
• Paket:Tube
• Teilestatus:Not For New Designs
• igbt-Typ:-
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):3600 V
• Strom - Kollektor (ic) (max):70 A
• Strom - Kollektor gepulst (icm):420 A
• vce(on) (max) @ vge, ic:2.9V @ 15V, 50A
• Leistung max:290 W
• Schaltenergie:-

• Eingabetyp:Standard
• Torgebühr:210 nC
• td (ein/aus) @ 25°c:46ns/205ns
• Testbedingung:960V, 50A, 5Ohm, 15V
• Reverse Recovery-Zeit (trr):1.7 µs
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Paket / Koffer:i4-Pac™-5 (3 Leads)
• Gerätepaket des Lieferanten:ISOPLUS i4-PAC™