Technische Details

• Serie:BIMOSFET™
• Paket:Tube
• Teilestatus:Active
• igbt-Typ:NPT
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):3000 V
• Strom - Kollektor (ic) (max):38 A
• Strom - Kollektor gepulst (icm):120 A
• vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 14A
• Leistung max:200 W
• Schaltenergie:-

• Eingabetyp:Standard
• Torgebühr:62 nC
• td (ein/aus) @ 25°c:40ns/166ns
• Testbedingung:960V, 14A, 20Ohm, 15V
• Reverse Recovery-Zeit (trr):1.4 µs
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-263