- ArtikelnummerISP25DP06NMXTSA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 3.999
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$0.31722
Technische Details
- Serie:OptiMOS™
- Paket:Tape & Reel (TR)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:P-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:1.9A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:250mOhm @ 1.9A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 270µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:10.8 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:420 pF @ 30 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-SOT223-4
- Paket / Koffer:TO-261-4, TO-261AA
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