- ArtikelnummerIS43TR16256B-093NBLI-TR
- MarkeISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungIC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
- KategorieErinnerung
Auf Lager: 3.222
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
Preis erfragen oder RFQ anfordern
Technische Details
- Serie:Automotive, AEC-Q100
- Paket:Tape & Reel (TR)
- Teilestatus:Active
- Speichertyp:Volatile
- Speicherformat:DRAM
- Technologie:SDRAM - DDR3
- Speichergröße:4Gb (256M x 16)
- Speicherschnittstelle:Parallel
- Taktfrequenz:1.066 GHz
- Schreibzykluszeit - Wort, Seite:15ns
- Zugriffszeit:20 ns
- Spannungsversorgung:1.425V ~ 1.575V
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 95°C (TC)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:96-TFBGA
- Gerätepaket des Lieferanten:96-TWBGA (9x13)
Verwandte Produkte
IC EEPROM 32KBIT I2C 8SOIJ
Auf Lager: 3.149
- 1: $0.35000
- 1080: $0.33990
STANDARD SRAM, 32KX16
Auf Lager: 2.076
- 1: $1.07000
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
Auf Lager: 404
- 1: $5.90000
- 25: $5.68333
- 100: $5.46351
IC EEPROM 256B 1-WIRE TO92-3
Auf Lager: 7.727
- 1: $2.61000
- 10: $2.34695
- 25: $2.30990
IC FLASH 4GBIT SPI 104MHZ 16SOP
Auf Lager: 2.937
Preis erfragen
IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28DIP
Auf Lager: 2.454
Preis erfragen
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
Auf Lager: 3.460
Preis erfragen
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 24BGA
Auf Lager: 3.936
Preis erfragen
IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32TSOP
Auf Lager: 3.300
Preis erfragen
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
Auf Lager: 2.693
Preis erfragen
In den Warenkorb gelegt!
Dieser Artikel wurde Ihrem Warenkorb hinzugefügt.