- ArtikelnummerIS42S32400E-6BLI
- MarkeISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungIC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA
- KategorieErinnerung
Auf Lager: 2.421
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
Preis erfragen oder RFQ anfordern
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tray
- Teilestatus:Obsolete
- Speichertyp:Volatile
- Speicherformat:DRAM
- Technologie:SDRAM
- Speichergröße:128Mb (4M x 32)
- Speicherschnittstelle:Parallel
- Taktfrequenz:166 MHz
- Schreibzykluszeit - Wort, Seite:-
- Zugriffszeit:5.4 ns
- Spannungsversorgung:3V ~ 3.6V
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:90-TFBGA
- Gerätepaket des Lieferanten:90-TFBGA (8x13)
Verwandte Produkte
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
Auf Lager: 588
- 1: $34.44000
IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOP
Auf Lager: 15.000
- 1: $1.67000
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Auf Lager: 3.417
Preis erfragen
IC EEPROM 4KBIT SPI 10MHZ 8SOIC
Auf Lager: 2.000
- 1: $0.25000
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON
Auf Lager: 3.822
Preis erfragen
IC SRAM 32KBIT PARALLEL 64TQFP
Auf Lager: 2.856
Preis erfragen
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
Auf Lager: 2.814
Preis erfragen
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36VFBGA
Auf Lager: 3.506
- 1: $3.45365
- 2000: $3.45365
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
Auf Lager: 3.084
Preis erfragen
IC EEPROM 256KBIT PAR 28SOIC
Auf Lager: 2.904
Preis erfragen
In den Warenkorb gelegt!
Dieser Artikel wurde Ihrem Warenkorb hinzugefügt.