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Technische Details

  • Serie:HEXFET®
  • Paket:Tube
  • Teilestatus:Obsolete
  • Fußtyp:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):55 V
  • Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:30A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:35mOhm @ 16A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2V @ 250µA

 

  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 5 V
  • vgs (max):±16V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:880 pF @ 25 V
  • Fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max):3.8W (Ta), 68W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:D2PAK
  • Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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