- ArtikelnummerIRLMS2002
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Technische Details
- Serie:HEXFET®
- Paket:Tube
- Teilestatus:Obsolete
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):20 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:6.5A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):2.5V, 4.5V
- rds on (max) @ id, vgs:30mOhm @ 6.5A, 4.5V
- vgs (th) (max) @ id:1.2V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:22 nC @ 5 V
- vgs (max):±12V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1310 pF @ 15 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):2W (Ta)
- Betriebstemperatur:-
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:Micro6™(SOT23-6)
- Paket / Koffer:SOT-23-6
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