- ArtikelnummerIRLL024NTRPBF
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$0.86
- 2.500$0.40718
- 5.000$0.38208
- 12.500$0.36954
- 25.000$0.3627
Technische Details
- Serie:HEXFET®
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):55 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:3.1A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:65mOhm @ 3.1A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:2V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:15.6 nC @ 5 V
- vgs (max):±16V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:510 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):1W (Ta)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:SOT-223
- Paket / Koffer:TO-261-4, TO-261AA
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